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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2000
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
Yu Z
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Huang CJ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Liang JW
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提交时间:2010/08/12
SiGe/Si
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