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半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ 专利
专利号: JP2723944B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
作者:  田中 俊明;  皆川 重量;  梶村 俊
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2716717B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者:  船水 将久;  江口 和弘
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2717016B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者:  細羽 弘之;  関 章憲;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
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Substrate holder for MOCVD 专利
专利号: GB2277748B, 申请日期: 1997-09-24, 公开日期: 1997-09-24
作者:  NOBUAKI, , KANENO;  HIROTAKA, , KIZUKI;  MASAYOSHI, , TAKEMI;  KENZO, , MORI
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Semiconductor laser and method of manufacture 专利
专利号: GB2310757A, 申请日期: 1997-09-03, 公开日期: 1997-09-03
作者:  TAKASHI, NISHIMURA;  SHOICHI, KARAKIDA;  MOTOHARU, MIYASHITA;  DIETHARD, MARX
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/31
Semiconductor optical modulation device 专利
专利号: EP0726483A3, 申请日期: 1997-08-27, 公开日期: 1997-08-27
作者:  TSUJI, MASAYOSHI, C/O NEC CORPORATION
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Method of fabricating modulator integrated semiconductor laser device 专利
专利号: GB2281441B, 申请日期: 1997-08-13, 公开日期: 1997-08-13
作者:  TADASHI, KIMURA;  YUTAKA, MIHASHI;  KATUHIKO, GOTOH;  TAKUSHI, ITAGAKI
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26
AlGaInP系半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2682906B2, 申请日期: 1997-08-08, 公开日期: 1997-11-26
作者:  菅 康夫;  高橋 向星;  細田 昌宏;  角田 篤勇;  谷 健太郎
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2669139B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
作者:  遠藤 健司
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Method of forming a rotation-induced superlattice structure 专利
专利号: EP0508463B1, 申请日期: 1997-07-02, 公开日期: 1997-07-02
作者:  KAO, YUNG-CHUNG;  LIU, HUNG-YU;  SEABAUGH, ALAN C.;  LUSCOMBE, JAMES H.
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