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厦门大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1995 [1]
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发表日期:1995
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VALENCE-BAND LINEUPS AT HIGHLY STRAINED SI-INP, GE-INAS, AND SI-GE INTERFACES
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(94)00888-4, 1995
Ke, S. H.
;
Wang, R. Z.
;
Huang, M. C.
;
黄美纯
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提交时间:2013/12/12
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