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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1991    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析 期刊论文 电子科学学刊, 1991, 期号: 6, 页码: 618-624 作者:  刘晓梅;  胡蓉香;  罗晋生;  李中江 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 击穿  功率晶体管  数值模拟  MOS场效应晶体管