Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors | |
Luan, Chongbiao; Lin, Zhaojun; Feng, Zhihong; Meng, Lingguo; Lv, Yuanjie; Cao, Zhifang; Yu, Yingxia; Wang, Zhanguo | |
2012 | |
卷号 | 112 |
期号 | 5 |
DOI | 10.1063/1.4752254 |
收录类别 | EI |
会议录 | Journal of Applied Physics |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6048389 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China 2.[W |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Luan, Chongbiao,Lin, Zhaojun,Feng, Zhihong,et al. Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors[C]. 见:. |
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