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	利用氮化硼制备散热芯片的方法
	刘建影[1]; 孙双希[2]; 鲍婕[3]; 黄时荣[4]; 张燕[5]; 张文奇[6]; 勇振中[7]
	2014
权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 上海大学
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申请日期	2014-12-17
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2275724
专题	上海大学
作者单位	1.华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 2.上海大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘建影[1],孙双希[2],鲍婕[3],等. 利用氮化硼制备散热芯片的方法. 2014-01-01.

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