利用氮化硼制备散热芯片的方法 | |
刘建影[1]; 孙双希[2]; 鲍婕[3]; 黄时荣[4]; 张燕[5]; 张文奇[6]; 勇振中[7] | |
2014 | |
权利人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 上海大学 |
URL标识 | 查看原文 |
申请日期 | 2014-12-17 |
内容类型 | 专利 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2275724 |
专题 | 上海大学 |
作者单位 | 1.华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 2.上海大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘建影[1],孙双希[2],鲍婕[3],等. 利用氮化硼制备散热芯片的方法. 2014-01-01. |
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