一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 | |
黄健[1]; 杨瑾[2]; 季欢欢[3]; 陆元曦[4]; 周家伟[5]; 张磊[6]; 胡艳[7]; 王林军[8] | |
2016 | |
权利人 | 上海大学 |
URL标识 | 查看原文 |
申请日期 | 2016-04-14 |
内容类型 | 专利 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2234925 |
专题 | 上海大学 |
作者单位 | 上海大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄健[1],杨瑾[2],季欢欢[3],等. 一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法. 2016-01-01. |
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