| Atomic layer deposition of high-k dielectrics (CPCI-S收录) | |
| Ye, Weibin; Huang, Guangzhou; Zhu, Jianming; Dai, Jinfu | |
| 会议名称 | Vacuum Metallurgy and Surface Engineering, Proceedings |
| 关键词 | atomic layer deposition precursor high - k dielectric leakage current |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2101796 |
| 专题 | 华南理工大学 |
| 作者单位 | S China Univ Technol, Sch Elect & Informat Engn, Guangzhou 510640, Guangdong, Peoples R China |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ye, Weibin,Huang, Guangzhou,Zhu, Jianming,等. Atomic layer deposition of high-k dielectrics (CPCI-S收录)[C]. 见:Vacuum Metallurgy and Surface Engineering, Proceedings. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论