Atomic layer deposition of high-k dielectrics (CPCI-S收录) | |
Ye, Weibin; Huang, Guangzhou; Zhu, Jianming; Dai, Jinfu | |
会议名称 | Vacuum Metallurgy and Surface Engineering, Proceedings |
关键词 | atomic layer deposition precursor high - k dielectric leakage current |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2101796 |
专题 | 华南理工大学 |
作者单位 | S China Univ Technol, Sch Elect & Informat Engn, Guangzhou 510640, Guangdong, Peoples R China |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Ye, Weibin,Huang, Guangzhou,Zhu, Jianming,等. Atomic layer deposition of high-k dielectrics (CPCI-S收录)[C]. 见:Vacuum Metallurgy and Surface Engineering, Proceedings. |
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