p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析

	p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
	吴小利; 王妮丽; 张可峰; 唐恒敬; 黄翌敏; 韩冰; 李雪; 龚海梅
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:11
公开日期	2011-10-09
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/2288]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴小利,王妮丽,张可峰,等. p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析[J]. 半导体学报,2007,28(11).
APA	吴小利.,王妮丽.,张可峰.,唐恒敬.,黄翌敏.,...&龚海梅.(2007).p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析.半导体学报,28(11).
MLA	吴小利,et al."p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析".半导体学报 28.11(2007).