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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [17]
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2011 [1]
2010 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2002 [1]
2001 [2]
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学科主题
半导体物理 [18]
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共18条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires
期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:
Li JB
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2010/04/22
Twinning
Nanotructures
Fracture
Buckling
Molecular dynamics
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AB-INITIO CALCULATIONS
BETA-SIC NANOWIRES
LOW-TEMPERATURE
THIN-FILMS
SIMULATION
ELASTICITY
NANOTUBES
POLYTYPES
GROWTH
Optimization of GaInNAs(Sb)/GaAs quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 125-128
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Fang, ZD (Fang, Z. D.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Wu, DH (Wu, D. H.)
;
Shun, Z (Shun, Z.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/29
quantum wells
Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145
Gong Z
;
Niu ZC
;
Fang ZD
收藏
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM-DOT SUPERLATTICES
VICINAL GAAS(001)
GAAS
WIRES
POLARIZATION
GROWTH
WELLS
TEMPERATURE
MECHANISM
Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures
期刊论文
journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79
Kong LM (Kong Lingmin)
;
Cai JF (Cai Jiafa)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Gong Z (Gong Zheng)
;
Fang ZD (Fang Zhidan)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/04/11
InGaAs layer
InAs quantum dots
time-resolved PL spectra
1.3 MU-M
CARRIER DYNAMICS
LASERS
GROWTH
WAVELENGTH
EMISSION
ISLANDS
LAYERS
SIZE
Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by an InAlAs and InGaAs combination layer
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514
作者:
Jin P
;
Li CM
;
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
GROWTH
GAAS
LASERS
Shape evolution of Ge/Si(001) islands induced by strain-driven alloying
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 24, 页码: 3881-3883
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:97/12
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提交时间:2010/08/12
TEMPERATURE-DEPENDENCE
TRANSITION
GROWTH
GE
SI(001)
PATHWAY
High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080 nm
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 18, 页码: 2868-2870
作者:
Xu B
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浏览/下载:215/69
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提交时间:2010/08/12
TEMPERATURE-DEPENDENCE
Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 5433-5436
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
INAS ISLANDS
GROWTH
GAAS
RELAXATION
EVOLUTION
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
SIZE
Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 3, 页码: 1695-1697
Chen YH
;
Wang ZG
;
Qian JJ
;
Yang Z
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
GROWTH
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