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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4364-4367 作者:  Wei HY;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：185/45  |  提交时间：2010/03/08 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  VAPOR-PHASE EPITAXY  INTRINSIC STRESS  SAPPHIRE SURFACE  THIN-FILMS  GAN  GROWTH  DIFFRACTION  MECHANISM   Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133 作者:  Zhang, CL;  Tang, L;  Wang, YL;  Wang, ZG;  Xu, B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Stress  Surface structure  Semiconducting iii-v materials   Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 stress  surface structure  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN  THICKNESS   Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596 作者:  Zhang, CL;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, FA 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Stress  Nanostructures  Surface structure  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials   Ordering growth of inas quantum dots on ultra-thin ingaas strained layer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64 作者:  Zhang, CL;  Wang, ZG;  Zhao, FA;  Xu, B;  Jin, P 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Line defects  Nanostructures  Stress  Surface structure  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials