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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantitative Model of Heterogeneous Nucleation and Growth of SiGe Quantum Dot Molecules 期刊论文 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2012, 卷号: 109, 期号: 10 Hu, H; Gao, HJ; Liu, F 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 SELF-ASSEMBLED NANOHOLES  SURFACE-MORPHOLOGY  STRAINED ISLANDS  EVOLUTION  EPITAXY  STRESS  LAYERS  FILMS  SHAPE   Surface reconstruction transition of metals induced by molecular adsorption 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2011, 卷号: 83, 期号: 11 Sun, JT; Gao, L; He, XB; Cheng, ZH; Deng, ZT; Lin, X; Hu, H; Du, SX; Liu, F; Gao, HJ 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/24 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  FRENKEL-KONTOROVA MODEL  EPITAXIAL-GROWTH  AU(111) SURFACE  STRESS  JUNCTIONS  DOMAINS  STRAIN  STAGE   Wavy interface morphologies in strained Si1-xGex/Si multilayers on vicinal Si(111) substrates 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1998, 卷号: 10, 期号: 39, 页码: 8643 Li, JH; Yamaguchi, Y; Hashizume, H; Usami, N; Shiraki, Y 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/23 X-RAY-SCATTERING  SURFACE-MORPHOLOGY  ROUGHNESS  SUPERLATTICES  REFLECTION  LAYERS  SI  INSTABILITY  EPITAXY  STRESS   Theoretical study of strain-induced step configuration changes on vicinal Si(001) by the growth of Ge 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1997, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 53 Zhang, MH; Guo, LW; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/23 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  SI(100)  SURFACE  STRESS  LAYER