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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Experimental approaches to zero-field spin splitting in a gated high-mobility In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure: Weakantilocalization and beating pattern 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107 作者:  Y. M. Zhou,1 G. Yu,1,a L. M. Wei,1 K. H. Gao,1 W. Z. Zhou,1,2 T. Lin,1 L. Y. Shang,1 S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, D. G. Austing 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/09/13 Structural and electronic properties of the in situ impurity AsHg in Hg0.5Cd0.5Te: First-principles study 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2005, 卷号: 71 作者:  L. Z. Sun;  X. S. Chen;  Y. L. Sun;  X. H. Zhou;  Zh. J. Quan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/11/08 Tuning the detection wavelength of quantum-well infrared photodetectors by single high-energy implantation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 78, 期号: 1 作者:  L. Fu;  H. H. Tan;  C. Jagadish;  Na Li;  Ning Li 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2011/11/30 Wavelength shifting of adjacent quantum wells in V-groove quantum wire structure by selective implantation and annealing 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 87, 期号: 3 作者:  Xingquan Liu;  a) Wei Lu;  Xiaoshuang Chen;  S. C. Shen;  H. H. Tan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/11/30