×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海技术物理研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2010 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
专题:上海技术物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108
作者:
K. H. Gao,1,2 G. Yu,2,a Y. M. Zhou,2 L. M. Wei,2 T. Lin,2 L. Y. Shang,1,2 L. Sun,2 R. Yang,2 W. Z. Zhou,N. Dai,J. H. Chu,D. G. Austing,Y. Gu,Y. G. Zhang
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2011/09/13
Experimental approaches to zero-field spin splitting in a gated high-mobility In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure: Weakantilocalization and beating pattern
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107
作者:
Y. M. Zhou,1 G. Yu,1,a L. M. Wei,1 K. H. Gao,1 W. Z. Zhou,1,2 T. Lin,1 L. Y. Shang,1 S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, D. G. Austing
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2011/09/13
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace