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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Observation of n-shaped negative differential resistance in gaas-based modulation-doped field effect transistor with inas quantum dots 期刊论文 Japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: 5 作者:  Li, Yueqiang;  Wang, Xiaodong;  Xu, Xiaona;  Liu, Wen;  Chen, Yanling 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Optimization of grid design for solar cells 期刊论文 journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 42-45 作者:  Liu Wen 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/16 Observation of N-Shaped Negative Differential Resistance in GaAs-Based Modulation-Doped Field Effect Transistor with InAs Quantum Dots 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 104002 Li YQ (Li Yueqiang); Wang XD (Wang Xiaodong); Xu XN (Xu Xiaona); Liu W (Liu Wen); Chen YL (Chen Yanling); Yang FH (Yang Fuhua); Tan PH (Tan Pingheng); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/11/14 REAL-SPACE TRANSFER  2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS   Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)   Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100) 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 567-573 Sun Guosheng; Sun Yanling; Wang Lei; Zhao Wanshun; Luo Muchang; Zhang Yongxing; Zeng Yiping; Li Jinmin; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 Raman Investigatins of 3C-SiC Films Grown on Si (100) and Sapphire (0001) by LPCVD 期刊论文 发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 421-425 Sun Guosheng; Luo Muchang; Wang Lei; Zhao Wanshun; Sun Yanling; Zeng Yiping; Li Jinmin 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23