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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Suppression the Leakage of Optical Field and Carriers in GaN-Based Laser Diodes by Using InGaN Barrier Layers 期刊论文 IEEE Photonics Journal, 2018, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 1503107 作者:  Jing Yang;  Degang Zhao;  Zongshum Liu;  De-Sheng Jiang;  Jianjun Zhu;  Ping Chen;  Feng Liang;  S. T. Liu;  Wei Liu;  Yao Xing;  Mo Li 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/19