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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率 期刊论文 光电子·激光, 2008, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 569-572 作者:  许兴胜 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器 期刊论文 科学通报, 2007, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 1116-1119 作者:  许兴胜 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 光子晶体垂直腔面发射850nm波长激光器研究 期刊论文 物理, 2007, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 17-19 作者:  许兴胜 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 许兴胜; 杜伟; 陈弘达 收藏  |  浏览/下载：123/3  |  提交时间：2009/06/11 半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性 期刊论文 物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1248-1252 作者:  许兴胜 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1640-1644 作者:  许兴胜;  韩伟华;  张杨 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/11/23 利用光子晶体提高InP基LED出光效率 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 921-925 作者:  许兴胜 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/23 Reduction of tensile stress in GaN grown on Si(111) by inserting a low-temperature AlN interlayer 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 316-321 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：194/51  |  提交时间：2010/03/09 X-ray diffraction   纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变 期刊论文 高压物理学报, 1999, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 133 鲍忠兴; 何宇亮; 王卫乡; 柳翠霞; 陈伟 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 光子晶体微腔缺陷模气体传感方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010034102.7, 公开日期: 2011-08-30 许兴胜; 陈率; 於丰; 杜伟; 陈弘达 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/30