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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 纳米复合相变材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101299453, 申请日期: 2008-11-05, 公开日期: 2008-11-05 宋志棠; 张挺; 刘波; 刘卫丽; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2012/01/06 一种纳米复合相变材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101299454, 申请日期: 2008-11-05, 公开日期: 2008-11-05 张挺; 宋志棠; 刘波; 刘卫丽; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101241967, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13 宋志棠; 刘波; 丁晟; 刘卫丽; 陈宝明; 封松林 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06 三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法 成果 鉴定: 无, 2008 刘卫丽; 宋志棠; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/04/12 一种无碲存储材料、制备方法及应用 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101049934, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2007-10-10 张挺; 宋志棠; 刘波; 刘卫丽; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1722462, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18 宋志棠; 刘波; 徐成; 徐嘉庆; 刘卫丽; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/01/06 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1616572, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18 张楷亮; 宋志棠; 刘波; 刘卫丽; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1610114, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27 刘卫丽; 陈邦明; 宋志棠; 封松林 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1610127, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27 刘卫丽; 宋志棠; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/06 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1610113, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27 刘卫丽; 宋志棠; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06