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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Breakdown mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness 期刊论文 Chinese Physics B, 2015 作者:  Pang L(庞磊);  Liu XY(刘新宇);  Chen W(陈伟);  Ma XH(马晓华);  Zhang YM(张亚嫚) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/05/26