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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1865-1870 作者:  李晋闽;  王晓亮;  刘新宇;  胡国新;  王军喜 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan  高电子迁移率晶体管  Mocvd  功率器件