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科研机构
西安交通大学 [31]
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2018 [4]
2017 [3]
2016 [4]
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专题:西安交通大学
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Preliminary single event effect distribution investigation on 28?nm SoC using heavy ion microbeam
期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2018
作者:
Yang, Weitao
;
Du, Xuecheng
;
Guo, Jinlong
;
Wei, Junze
;
Du, Guanghua
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/11/19
All Programmable SoC
Heavy ion microbeam
Layout information
Modern physics
On chip memory
Partial cross section
Single event effects
System on chips (SoC)
Single-event multiple transients in guard-ring hardened inverter chains of different layout designs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 87, 页码: 151-157
作者:
Zhao, Wen
;
He, Chaohui
;
Chen, Wei
;
Chen, Rongmei
;
Cong, Peitian
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/26
Inverter chain
Layout design
Pulsed laser beam
Single-event transient (SET) pulse width
Single-event multiple transients (SEMTs)
Enhanced performance for Eu(iii) ion remediation using magnetic multiwalled carbon nanotubes functionalized with carboxymethyl cellulose nanoparticles synthesized by plasma technology
期刊论文
INORGANIC CHEMISTRY FRONTIERS, 2018, 卷号: 5, 页码: 3184-3196
作者:
Zong, Pengfei
;
Cao, Duanlin
;
Cheng, Yuan
;
Wang, Shoufang
;
Hayat, Tasawar
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/26
Microbeam Heavy-Ion Single-Event Effect on Xilinx 28-nm System on Chip
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 页码: 545-549
作者:
Yang, Weitao
;
Du, Xuecheng
;
He, Chaohui
;
Shi, Shuting
;
Cai, Li
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
microbeam
single-event effect (SEE)
processing system (PS)
Heavy ion
system on chip (SoC)
SINGLE EVENT EFFECT CHARACTERISTICS ANALYSIS OF TYPICAL CIRCUIT ELEMENTS IN SPACECRAFT POWER SYSTEMS
会议论文
作者:
Zhao Wen
;
He Chaohui
;
Chen Wei
;
Guo Xiaoqiang
;
Cong Peitian
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/26
mitigation approaches
single event effect
single event burnout
single event transients
An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 页码: 1137-1141
作者:
Li, Pei
;
He, Chaohui
;
Guo, Hongxia
;
Guo, Qi
;
Zhang, Jinxin
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/26
emitter-base (EB)-spacer geometry
enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS)
isolation structure
Different silicon-germanium (SiGe) process
Heavy ion micro-beam study of single-event transient (SET) in SiGe heterjunction bipolar transistor
期刊论文
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2017, 卷号: 60
作者:
Zhang, Jinxin
;
Guo, Hongxia
;
Zhang, Fengqi
;
He, Chaohui
;
Li, Pei
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/26
Time dependent modeling of single particle displacement damage in silicon devices
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 卷号: 60, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 25-32
作者:
Tang, Du
;
Martin-Bragado, Ignacio
;
He, Chaohui
;
Zang, Hang
;
Xiong, Cen
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
Defect annealing
Multiscale modeling
Dark current
Photodiodes
Displacement damage
Re-evaluation of neutron displacement cross sections for silicon carbide by a Monte Carlo approach
期刊论文
JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 53, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 161-172
作者:
Guo, Daxi
;
He, Chaohui
;
Zang, Hang
;
Zhang, Peng
;
Ma, Li
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
silicon carbide
damage correlation
neutron irradiation
displacement cross section
Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of Co-60 gamma in SiGe HBT
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2016, 卷号: 63, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 1251-1258
作者:
Zhang, Jinxin
;
Guo, Qi
;
Guo, Hongxia
;
Lu, Wu
;
He, Chaohui
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/02
total ionizing dose effect
SiGe HBT
Co-60 gamma irradiation
Bias conditions
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