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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：山东师范大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响 期刊论文 2004, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 364-368 作者:  曹文田[1];  孙振翠[1];  魏芹芹[1];  薛成山[1];  庄惠照[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 射频磁控溅射  Ga2O3薄膜  GaN晶体膜  氮化温度  氮化时间  半导体