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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：兰州化学物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Resistive switching behaviors and mechanisms of HfS2 film memory devices studied by experiments and density functional theory calculations 期刊论文 Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 063503 作者:  Naifeng Li;  Yue Wang;  Haifeng Sun;  Junjie Hu;  Maoyuan Zheng 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2020/11/30