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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [3]
发表日期
2009 [2]
2006 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2000 [2]
1999 [1]
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专题:半导体研究所
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Two-photon excited fluorescence from cdse quantum dots on sin photonic crystals
期刊论文
Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 22, 页码: 3
作者:
Xu, Xingsheng
;
Yamada, Toshiki
;
Ueda, Rieko
;
Otomo, Akira
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Cadmium compounds
Fluorescence
High-speed optical techniques
Ii-vi semiconductors
Photoluminescence
Photonic crystals
Semiconductor quantum dots
Silicon compounds
Two-photon processes
Growth behavior of AlInGaN films
会议论文
4th asian conference on crystal growth and crystal technology, sendai, japan, may 21-24, 2008
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/03/09
Scanning electron microscope
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003
作者:
Li DB
收藏
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浏览/下载:13/2
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提交时间:2010/10/29
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
QUATERNARY ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Hsu CC
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/10/29
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
quantum dots
strain
molecular beam epitaxy
superluminescent diodes
1.3 MU-M
HIGH-POWER
INTEGRATED ABSORBER
INAS ISLANDS
SPECTRUM
WINDOW
LAYER
SIZE
Microstructures of microcrystalline silicon thin films prepared by hot wire chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 360, 期号: 1-2, 页码: 205-212
Zhu M
;
Guo X
;
Chen G
;
Han H
;
He M
;
Sun K
收藏
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浏览/下载:104/0
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提交时间:2010/08/12
microstructures
microcrystalline silicon
hot wire chemical vapor deposition
AMORPHOUS-SILICON
HYDROGEN
PLASMA
SPECTRA
GROWTH
SILANE
Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InAs/GaAs
MBE
photoluminescence
absorption
OPTICAL-PROPERTIES
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
INGAAS
LASER
TEM study of dislocations in ZnTe/GaAs heterostructure grown by hot-wall epitaxy
期刊论文
defect and diffusion forum, 1999, 卷号: 174, 期号: 0, 页码: 59-65
作者:
Han PD
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
HREM
large-angle stereo-projection
misfit dislocations
stacking faults
TEM
LAYER
SUPERLATTICES
ELECTRON-MICROSCOPY
Intraband absorption in the 8-12 mu m band from Si-doped vertically aligned InGaAs/GaAs quantum-dot superlattice
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 25, 页码: 3706-3708
Zhuang QD
;
Li JM
;
Li HX
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
X-RAY-DIFFRACTION
INFRARED-ABSORPTION
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
WELL
SPECTROSCOPY
TRANSITIONS
LASERS
INP
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