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半导体研究所 [14]
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期刊论文 [13]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [4]
2009 [3]
2008 [2]
2003 [2]
2001 [1]
1999 [1]
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专题:半导体研究所
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First-principles study of UC2 and U2C3
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Sun B (Sun Bo)
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浏览/下载:79/12
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提交时间:2010/04/21
First-principle calculation
GGA plus U
Elastic constants
Chemical bonding
Valence state
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
CARBIDES
SPECTRA
METALS
Origins of magnetism in transition metal doped Cul
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043713
Wang J (Wang Jing)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
收藏
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/10/11
AUGMENTED-WAVE METHOD
OPTICAL-PROPERTIES
CUPROUS HALIDES
COPPER HALIDES
BAND-STRUCTURE
CUBR
PHOTOEMISSION
PRESSURE
DENSITY
STATES
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
收藏
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浏览/下载:93/14
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提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
Band structure
k.p method
Quantum dots
Diluted nitride
Optical gain
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:312/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110
Gai, YQ
;
Yao, B
;
Wei, ZP
;
Li, YF
;
Lu, YM
;
Shen, DZ
;
Zhang, JY
;
Zhao, DX
;
Fan, XW
;
Li, JB
;
Xia, JB
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE ZNO
II-VI
BAND-GAP
SEMICONDUCTORS
FILMS
MGXZN1-XO
EPITAXY
Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107
Zhang BL
;
Sun GS
;
Guo Y
;
Zhang PF
;
Zhang RQ
;
Fan HB
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
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浏览/下载:233/42
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
interface states
semiconductor heterojunctions
silicon compounds
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
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