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半导体研究所 [55]
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期刊论文 [54]
会议论文 [1]
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专题:半导体研究所
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Cooling Rate Dependent Lattice Rotation in Ge on Insulators Formed by Rapid Melt Growth
期刊论文
ecs solid state lett., 2013, 卷号: 2, 期号: 9, 页码: 73-75
J. J. Wen, Z. Liu, L. L. Li, C. Li, C. L. Xue, Y. H. Zuo, C. B. Li, Q. M. Wang and B. W. Chengz
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/04/04
Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Yang, Qiumin
;
Li, Yiyang
;
Cui, Lijie
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Cadmium compounds
Semiconducting ii-vi materials
Thermal carrier processes in bimodal-sized quantum dots with different lateral coupling strength
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 3
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Li, T. F.
;
Ye, X. L.
;
Xu, Bo
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of inas/gaas quantum dot: simulation and experiment
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: 7
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Zhang, H. Y.
;
Zhou, G. Y.
;
Li, T. F.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
收藏
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:68/4
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Size-dependent electroluminescence from Si quantum dots embedded in amorphous SiC matrix
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 6, 页码: 64322
Rui YJ
;
Li SX
;
Xu J
;
Song C
;
Jiang XF
;
Li W
;
Chen KJ
;
Wang QM
;
Zuo YH
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/02/06
SILICON NANOCRYSTALLITES
LUMINESCENCE
CONFINEMENT
PHOTOLUMINESCENCE
MICROCRYSTALS
NANOCLUSTERS
SUPERLATTICE
MULTILAYERS
ELECTRONS
STATES
Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of inas/gaas quantum dot with high and low areal density
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: 6
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Jia, C. H.
;
Ye, X. L.
;
Xu, Bo
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Substrate temperature dependence of znte epilayers grown on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Li, Yanbo
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting ii-vi materials
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