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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microstructure of a-SiOx : H 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Cheng WC; Li GH; Chen CY; Zhang SB; Xu YY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 a-SiOx : H  microstructure  bonding configuration  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  ELECTRONIC-PROPERTIES  SIO2/SI INTERFACE  OXYGEN  FILMS  VIBRATIONS  ALLOYS  SYSTEM   Light and annealing induced changes in Si-H bonds in undoped a-Si : H 期刊论文 solid state communications, 2000, 卷号: 116, 期号: 9, 页码: 519-524 Sheng SR; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  semiconductors  infrared absorption  HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON  MODEL  METASTABILITY  SOAKING   Dielectric response and its light-induced change in undoped alpha-Si : H films below 13 MHz 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2387-2392 Yue GZ; Kong GL; Zhang DL; Ma ZX; Sheng SR; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON  SEMICONDUCTORS  CONDUCTIVITY  DISCHARGE  BONDS