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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays 期刊论文 applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001 Liu JQ; Wang JF; Gong XJ; Huang J; Xu K; Zhou TF; Zhong HJ; Qiu YX; Cai DM; Ren GQ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：72/3  |  提交时间：2011/07/05 OUTPUT VOLTAGE  NANOWIRES  NANOGENERATORS  GROWTH   Stability of Mechanical Properties for Submicrometer Single-Crystal Silicon Cantilever Under Cyclic Load 期刊论文 journal of microelectromechanical systems, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 178-183 Zhu YF; Zhang FX; Yang JL; Zheng HY; Yang FH 收藏  |  浏览/下载：52/8  |  提交时间：2011/07/06 Cyclic  mechanical property  resonant frequency  stability  submicrometer-thick cantilever  ENERGY-DISSIPATION  STRUCTURAL FILMS  THIN-FILMS  FATIGUE   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：93/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY   Influence of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) cap layer on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 9a, 页码: 5076-5079 Wang XD; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  strain-reduction  molecular beam epitaxy (MBE)  red shift  photoluminescence  1.3 MU-M  INGAAS  ENERGY