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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 相琳琳 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/06/01 第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  II-VI族半导体材料  纳米线   基于深度指纹获取远距离视频监控目标特征尺寸的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010564580.9, 公开日期: 2011-08-31 王新伟; 周燕; 范松涛; 刘育梁 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/31