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A simulation analysis of performance of both implanted doping and in situ doping ETSOI PMOSFETs 期刊论文
2015, 卷号: 0, 期号: 4, 页码: 180-184
作者:  Feng S(冯帅);  Zhao LC(赵利川);  Zhang QZ(张青竹);  Yang PP(杨鹏鹏);  Tang ZY(唐兆云)
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