×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
山东师范大学 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2002 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
专题:山东师范大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Temporal and spatial evolution of Si atoms in plasmas produced by a nanosecond laser ablating silicon carbide crystals
期刊论文
2009, 卷号: 80, 期号: 1
作者:
Chen, Ming[1]
;
Liu, Xiangdong[1,2]
;
Zhao, Mingwen[1,2]
;
Chen, Chuansong[3]
;
Man, Baoyuan[3]
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/28
Effects of H2 annealing on silicon carbide films grown on Si (111) by magnetron sputtering method
期刊论文
2002, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 593-598
作者:
An, Xia[1]
;
Zhuang, Huizhao[1]
;
Yang, Yingge[1]
;
Li, Huaixiang[1]
;
Xue, Chengshan[1]
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2020/01/04
Formation of carbon nanowires by annealing silicon carbide films deposited by magnetron sputtering
期刊论文
2002, 卷号: 193, 期号: 1-4, 页码: 87-91
作者:
Xia, An[1]
;
Huizhao, Zhuang[1]
;
Li, Yang[1]
;
Chengshan, Xue[1]
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2020/01/04
Formation of carbon nanowires by annealing silicon carbide films deposited by magnetron sputtering
期刊论文
2002, 卷号: 193, 期号: 1-4, 页码: 87-91
作者:
An, X
;
Zhuang, HZ
;
Yang, L
;
Xue, CS
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/28
The effects of annealing on nano-silicon carbide films grown by magnetron sputtering method
会议论文
XIAN, PEOPLES R CHINA, SEP 16-20, 2001
作者:
An, X
;
Zhuang, HZ
;
Yang, YG
;
Li, HX
;
Xue, CS
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2020/01/07
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace