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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Review and Perspective of Hf-based High-k Gate Dielectrics on Silicon 期刊论文 Critical Reviews in Solid State and Materials Science, 2012, 卷号: Vol.37 No.3, 页码: 131-157 作者:  Li,G;  Zhang,LD;  Sun,ZQ;  He,G 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ATOMIC LAYER DEPOSITION  ELECTRON-BEAM EVAPORATION  CATHODIC ARC DEPOSITION  THIN-FILMS  THERMAL-STABILITY  HAFNIUM OXIDE  INTERFACIAL PROPERTIES  BAND ALIGNMENT