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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响 期刊论文 电子器件, 2018, 卷号: 41, 页码: 1367-1371 作者:  蔡剑辉[1];  陈治西[2];  刘晨鹤[3];  张栋梁[4];  刘强[5] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22 MoS2背栅场效应晶体管  杂质吸附  不同的扫描条件  回滞窗口  亚阈值斜率   具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管 期刊论文 红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 页码: 543-549 作者:  刘强[1];  蔡剑辉[2];  何佳铸[3];  王翼泽[4];  张栋梁[5] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/24 MoS2场效应晶体管  良好的亚阈值斜率  SiO2栅介质  界面态密度   毫米波MOS场效应晶体管的建模 期刊论文 微电子学, 2007, 卷号: 37, 页码: 151-154 作者:  祝远渊[1];  王文骐[2];  夏立诚[3] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/05/10 毫米波CMOS  建模  MOS场效应晶体管  参数提取