×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
高能物理研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2019 [2]
2017 [2]
2015 [1]
2014 [1]
2012 [1]
2011 [1]
更多...
学科主题
Chemistry;... [1]
Chemistry;... [1]
Science & ... [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
专题:高能物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
A series of max phases with ma-triangular-prism bilayers and elastic properties
期刊论文
Angewandte chemie-international edition, 2019, 卷号: 58, 期号: 14, 页码: 4576-4580
作者:
Chen, Hongxiang
;
Yang, Dongliang
;
Zhang, Qinghua
;
Jin, Shifeng
;
Guo, Liwei
收藏
  |  
浏览/下载:174/0
  |  
提交时间:2019/04/22
Carbides
Elastic constants
High pressure xrd
Layered compounds
Max phases
A series of max phases with ma-triangular-prism bilayers and elastic properties
期刊论文
Angewandte chemie-international edition, 2019, 卷号: 58, 期号: 14, 页码: 4576-4580
作者:
Chen, Hongxiang
;
Yang, Dongliang
;
Zhang, Qinghua
;
Jin, Shifeng
;
Guo, Liwei
收藏
  |  
浏览/下载:174/0
  |  
提交时间:2019/04/22
Carbides
Elastic constants
High pressure xrd
Layered compounds
Max phases
Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in si crystal
期刊论文
Physica b-condensed matter, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204
作者:
Zhao, Mingshu
;
Dong, Juncai
;
Chen, Dongliang
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/04/23
Silicon doping
Local lattice distortion
Strain relaxation mechanism
Charge localization
Dft
Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in Si crystal
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204
作者:
Dong, JC
;
Chen DL(陈栋梁)
;
Dong JC(董俊才)
;
Zhao, MS
;
Chen, DL
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/08/27
Silicon doping
Local lattice distortion
Strain relaxation mechanism
Charge localization
DFT
Control of the Metal-Insulator Transition in VO2 Epitaxial Film by Modifying Carrier Density
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 卷号: 7, 期号: 12, 页码: 6875-6881
作者:
Chen, FH
;
Fan, LL
;
Chen, S
;
Liao, GM
;
Chen, YL
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2016/04/18
vanadium dioxide
p-GaN
phase transition modulation
carrier concentration
Hole Carriers Doping Effect on the Metal-Insulator Transition of N-Incorporated Vanadium Dioxide Thin Films
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2014, 卷号: 118, 期号: 24, 页码: 12837-12844
作者:
Zhang, WH
;
Wang, K
;
Fan, LL
;
Liu, LY
;
Guo, PP
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2016/04/08
Probing solid state N-doping in graphene by X-ray absorption near-edge structure spectroscopy
期刊论文
CARBON, 2012, 卷号: 50, 期号: 1, 页码: 335-338
作者:
Zhong, J
;
Deng, JJ
;
Mao, BH
;
Xie, T
;
Sun, XH
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2016/04/08
The 2008 outburst of igr j17473-2721: evidence for a disk corona?
期刊论文
Astronomy & astrophysics, 2011, 卷号: 534, 页码: 8
作者:
Chen, Y. -P.
;
Zhang, S.
;
Torres, D. F.
;
Zhang, S. -N.
;
Li, J.
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/04/23
X-rays: binaries
X-rays: bursts
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace