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经氧化物修饰的硼氢化锂储氢材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101054162, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2007-10-17
余学斌; 吴铸; 陈秋荣; 李志林; 黄铁生
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PLZT薄膜的溅射沉积和热处理 期刊论文
上海工程技术大学学报, 1999, 期号: 04
雷永明; 徐梅娣; 郭懋端
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不同生长温度下Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 期号: 02
朱南昌; 陈京一; 李润射; 许顺生; 周国良; 张翔九; 俞鸣人
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