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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种金属硅化物的形成方法 专利 专利号: US10096691, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2016-09-15 作者:  张青竹;  赵利川;  杨雄坤;  殷华湘;  闫江 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/27 Elemental diffusion study of Ge/Al2O3 and Ge/AlN/Al2O3 interfaces upon post deposition annealing 期刊论文 surface and interfaces, 2017 作者:  Wang SK(王盛凯) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/05/16 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利 专利号: US9384986, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2013-10-31 作者:  殷华湘;  付作振;  徐秋霞;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/06/13 半导体器件的制造方法 专利 专利号: US8642433, 申请日期: 2014-02-04, 公开日期: 2013-02-21 作者:  赵超;  钟汇才;  罗军;  梁擎擎 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/05/27 Ultra-shallow junctions formed using microwave annealing 期刊论文 Applied Physics Letters, 2013 作者:  Hu S(胡晟);  Xu P(许鹏);  Fu CC(付超超);  Luo J(罗军) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/10/30