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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si0.73Ge0.27 Channels and High-k/Metal Gates 期刊论文 CHIN. PHYS. LETT., 2016 作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Zhu ZY(朱正勇);  Wang GL(王桂磊);  Zhu HL(朱慧珑);  Li JF(李俊峰) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/09