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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种带AGC功能的RGC输入前置放大器设计 期刊论文 电子技术应用, 2013, 期号: 6, 页码: 37-39 作者:  后永奇;  杨建红 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 光接收机  前置放大器  CMOS工艺  RGC  AGC   A Microwave High Power Static Induction Transistor with Double Dielectrics Gate Structure 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 19-25 作者:  Wang YS(王永顺);  Li SY(李思渊);  Hu DQ(胡冬青) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/04/27 静电感应晶体管  双介质栅  同步外延  寄生电容  Double dielectrics gate  Parasitic capacitance  Static induction transistor  Synchronous epitaxy   BSIT开启特性的研究 期刊论文 兰州大学学报, 1996, 期号: 2, 页码: 9 作者:  李思渊;  刘瑞喜;  李成;  刘肃;  杨建红 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 模拟特性分析  双极型静电感应晶体管   BSIT开态的数值分析 期刊论文 半导体技术, 1996, 期号: 1, 页码: 7 作者:  李思渊;  刘瑞喜;  李成;  韩永召;  刘肃 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 双极模式静电感应晶体管BSIT  数值模拟  开通过程