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北京大学 [10]
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2016 [2]
2008 [1]
2006 [1]
2003 [2]
2002 [2]
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单层MoS_2的电调制荧光光谱特性
期刊论文
光子学报, 2016
王亚丽
;
林梓愿
;
柴扬
;
王胜
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
纳米材料
光电器件
荧光光谱
激子
带电激子
光调制
MoS2
碳纳米管CMOS电子学-从晶体管到中等规模集成电路
其他
2016-01-01
张志勇
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
器件性能
技术节点
碳管
栅长
基本运算
逻辑电路
电压源
测不准原理
thermodynamics
swing
红外焦平面CMOS读出电路TDI功能的测试方法研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2008
陈中建
;
鲁文高
;
唐矩
;
张雅聪
;
吉利久
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/10/23
时间延迟积分
测试方法
读出电路
红外焦平面
time delay integration (TDI)
test method
readout circuits
infrared focal plane array
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006
赵要
;
许铭真
;
谭长华
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提交时间:2015/10/23
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
可靠性
热载流子效应
衬底正向偏置
MOSFET的热载流子效应及其表征技术
期刊论文
微电子学, 2003
赵要
;
胡靖
;
许铭真
;
谭长华
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/10/23
可靠性
热载流子效应
MOS场效应晶体管
寿命预测模型
表征技术
亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
期刊论文
半导体学报, 2003
刘弋波
;
刘恩峰
;
刘晓彦
;
韩汝琦
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
流体动力学 双栅MOSFET 阈值电压 短沟效应 电子温度 漂移速度
超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流
期刊论文
半导体学报, 2002
张贺秋
;
毛凌锋
;
许铭真
;
谭长华
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/10/23
隧穿电流
高场应力
超薄
应变诱导漏电流
tunneling current
high-field stress
ultrathin
SILC
亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
其他
2002-01-01
刘弋波
;
刘恩峰
;
刘晓彦
;
韩汝琦
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/10/23
流体动力学
阈值电压
短沟效应
电子温度
漂移速度
场效应晶体管
粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响
期刊论文
半导体学报, 2001
毛凌锋
;
谭长华
;
许铭真
;
卫建林
;
穆甫臣
;
张贺秋
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
粗糙度
直接隧穿
场效应晶体管
利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量
期刊论文
半导体学报, 2001
毛凌锋
;
谭长华
;
许铭真
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/11
有效质量
场效应晶体管
隧穿
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