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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 与GaN近似晶格匹配InxAl1-xN的制备和物性研究 学位论文 2015 作者:  甘学伟 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 铟铝氮  分子束外延  衬底生长温度窗口  掺杂  热稳定性   基于飞秒激光技术的GaN薄膜与蓝宝石衬底的剥离方法 专利 专利号: ZLCN201510356066.9, 申请日期: 2015-01-01, 作者:  刘胜;  付兴铭;  刘亦杰;  郑怀;  沈沁宇 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05