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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9012965, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2012-07-19
作者:  罗军;  赵超
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LOW TEMPERATURE GROWN LAYERS WITH MIGRATION ENHANCED EPITAXY ADJACENT TO AN InGaAsN(Sb) BASED ACTIVE REGION 专利
专利号: WO2006026610A3, 申请日期: 2006-07-06, 公开日期: 2006-07-06
作者:  JOHNSON RALPH
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具有氧浓度检测功能的医用小型制氧机 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN2540188Y, 申请日期: 2003-03-19, 公开日期: 2003-03-19
作者:  朱笑波;  邱笑;  周兴远
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MOCVD growth of InGaN quantum well laser structures on a grooved lower waveguiding layer 专利
专利号: US6285698, 申请日期: 2001-09-04, 公开日期: 2001-09-04
作者:  ROMANO, LINDA T.;  HOFSTETTER, DANIEL;  PAOLI, THOMAS L.
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AlGaInN LED and laser diode structures for pure blue or green emission 专利
专利号: US6233265, 申请日期: 2001-05-15, 公开日期: 2001-05-15
作者:  BOUR, DAVID PAUL;  KNEISSL, MICHAEL A.
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Verfahren zur epitaktischen Herstellung von Halbleiternanostrukturen 专利
专利号: DE19954838C1, 申请日期: 2001-05-10, 公开日期: 2001-05-10
作者:  DADGAR, ARMIN;  KROST, ALOIS
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Semiconductor device, manufacture thereof and laser device 专利
专利号: JP1991082115A, 申请日期: 1991-04-08, 公开日期: 1991-04-08
作者:  MOCHIZUKI KAZUHIRO;  GOSHIMA SHIGEO;  IHARA AYAKO;  KAKIBAYASHI HIROSHI;  TAGAMI TOMONORI
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Optical semiconductor device 专利
专利号: JP1988156387A, 申请日期: 1988-06-29, 公开日期: 1988-06-29
作者:  NAKAYAMA TAKAYUKI;  KINOSHITA YOSHINORI
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1987018081A, 申请日期: 1987-01-27, 公开日期: 1987-01-27
作者:  YAGI KATSUMI
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