×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2016 [1]
2013 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2002 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [6]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Electrical generation and control of the valley carriers in a monolayer transition metal dichalcogenide
期刊论文
nature nanotechnology, 2016, 卷号: 11, 期号: 7, 页码: 598-602
Yu Ye
;
Jun Xiao
;
HailongWang
;
Ziliang Ye
;
Hanyu Zhu
;
Mervin Zhao
;
Yuan Wang
;
Jianhua Zhao
;
Xiaobo Yin
;
Xiang Zhang
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2017/03/16
Giant in-plane optical anisotropy of a-plane ZnO on r-plane sapphire
期刊论文
journal of semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 122003
Wu Shujie
;
Chen Yonghai
;
Qin Xudong
;
Gao Hansong
;
Yu Jinling
;
Zhu Laipan
;
Li Yuan
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2014/04/30
Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108
Zhu YH (Zhu Yuan-Hui)
;
Xu Q (Xu Qiang)
;
Fan WJ (Fan Wei-Jun)
;
Wang JW (Wang Jian-Wei)
收藏
  |  
浏览/下载:68/3
  |  
提交时间:2010/05/07
ALLOYS
GE
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:63/0
  |  
提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Giant Zeeman splitting in manganese-doped ZnSe quantum spheres: Eight-band effective-mass calculations
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 24, 页码: art.no.245321
Zhu, YH (Zhu, Yuan-Hui)
;
Xia, JB (Xia, Jian-Bai)
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/29
DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nitrogen vacancy scattering
GaN
mobility
MOCVD
N-TYPE GAN
NITRIDE
FILMS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace