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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2016 [1]
2013 [3]
2012 [2]
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Reversibly tunable coupled and decoupled super absorbing structures
期刊论文
applied physics letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 9, 页码: 091105
Nan Zhang
;
Ziye Dong
;
Dengxin Ji
;
Haomin Song
;
Xie Zeng
;
Zhejun Liu
;
Suhua Jiang
;
Yun Xu
;
Ayrton Bernussi
;
Wei Li
;
Qiaoqiang Gan
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/16
Theoretical calculation of the interfacial charge-modulated two-dimensional electron gas mobility in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors
期刊论文
solid state communications, 2013, 卷号: 153, 期号: 1, 页码: 53-57
Ji, Dong
;
Lu, Yanwu
;
Liu, Bing
;
Liu, Guipeng
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/10/10
Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al 2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors
期刊论文
thin solid films, 2013, 卷号: 534, 页码: 655–658
Dong Ji, Yanwu Lu, Bing Liu, Guipeng Liu, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/05/08
Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors
期刊论文
thin solid films, 2013, 卷号: 534, 页码: 655-658
Ji, Dong
;
Lu, Yanwu
;
Liu, Bing
;
Liu, Guipeng
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/08/27
Electric field-induced scatterings in rough quantum wells of AlGaN/GaN high-mobility electronic transistors
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 页码: 024515
Ji, Dong
;
Lu, Yanwu
;
Liu, Bing
;
Jin, Guangri
;
Liu, Guipeng
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/05/07
Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al 2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 13, 页码: 132105
Ji, Dong
;
Liu, Bing
;
Lu, Yanwu
;
Liu, Guipeng
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/13
Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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浏览/下载:224/51
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提交时间:2010/05/24
excited states
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser tuning
optical films
quantum dot lasers
silicon compounds
tantalum compounds
TEMPERATURE-DEPENDENCE
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