QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/09/28 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/09/28