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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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学科主题:光电子学
内容类型:期刊论文
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Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
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提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
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Ultrahigh vacuum
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