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科研机构
上海微系统与信息技... [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2004 [1]
2003 [1]
1996 [1]
1995 [3]
1994 [1]
1993 [1]
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学科主题
Physics, ... [11]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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Optimizing boron implantation dose of HgCdTe infrared detectors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 911-914
Chen, GB
;
Lu, W
;
Cai, WY
;
Li, ZF
;
Chen, XS
;
Hu, XN
;
He, L
;
Shen, XC
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE EPITAXY
HG1-XCDXTE
GROWTH
Study of the current-voltage characteristics of n-on-p junction fabricated by proton-implanted molecular beam epitaxial Hg1-xCdxTe
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1496-1499
Chen, GB
;
Li, ZF
;
Cai, WY
;
He, L
;
Hu, XN
;
Lu, W
;
Shen, XC
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
HGCDTE
Hot-electron magneto-transport in InSb
期刊论文
COMMUNICATIONS IN THEORETICAL PHYSICS, 1996, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 17-22
Weng, XM
;
LEI, XL(雷啸霖)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/25
BALANCE-EQUATIONS
ENERGY-BAND
FIELDS
HG1-XCDXTE
SYSTEM
Optical and photoelectrical properties of beta-FeSi2 thin films
期刊论文
NARROW GAP SEMICONDUCTORS 1995, 1995, 期号: 144, 页码: 90-94
Shen, WZ
;
Shen, SC
;
Tang, WG
;
Wang, LW
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/25
IRON DISILICIDE
SILICON
FESI2
MOCVD GAINASSB HETEROSTRUCTURE MATERIALS FOR 2-4-MU-M PHOTODETECTORS
期刊论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1994, 1995, 期号: 141, 页码: 603-606
WEI,GY
;
PENG,RW
;
WU,W
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/25
P-N PHOTODIODES
GALLIUM ANTIMONIDE
MU-M
GROWTH
EPITAXY
GASB
WAVELENGTH
RANGE
SNTE
HREM characterization of ion beans synthesized ternary silicides in (111) silicon
期刊论文
MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1995, 1995, 卷号: 146, 页码: 533-536
Tavares, J
;
Bender, H
;
Wu, MF
;
Vantomme, A
;
Langouche, G
;
Lin, C
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/03/25
IMPLANTATION
CHARACTERIZATION OF CDTE AND HGCDTE EPILAYERS BY HOT-WALL MOCVD
期刊论文
DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS AND DEVICES, 1994, 期号: 135, 页码: 347-350
PENG,RW
;
DING,YQ
;
WEI,GY
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/25
VAPOR-DEPOSITION GROWTH
GAAS
HG1-XCDXTE
MOVPE
A NONEQUILIBRIUM APPROACH TO COUPLED-MODE-INDUCED HOT-ELECTRON ENERGY-LOSS RATE
期刊论文
COMMUNICATIONS IN THEORETICAL PHYSICS, 1993, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 403-408
WU, MW
;
LEI, XL(雷啸霖)
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/25
BALANCE-EQUATIONS
RELAXATION
TRANSPORT
SEMICONDUCTORS
FIELD
SYSTEM
TIME
DETERMINATION OF THE UNIT-CELL FOR AN EPITAXIAL LAYER OF HG1-XCDXTE DEPOSITED ON GAAS
期刊论文
AUSTRALIAN JOURNAL OF PHYSICS, 1992, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 773-779
ZHU, NC
;
STEVENSON, AW
;
LI, RS
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/25
DIFFRACTION
PHOTOQUENCHING OF ELECTRONIC PARAMAGNETIC-RESONANCE ASGA AND METASTABLE MECHANISM OF EL2 DEFECT IN GAAS
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 1989, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 976-981
ZOU, YX
;
WANG, GY
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/25
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