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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文 journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391 Zhang, J; Tan, PH; Zhao, WJ; Lu, J; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 Raman spectroscopy  ultrathin Fe(3)O(4) film  crystal orientation  strain  phonon strain-shift coefficient  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  SPIN-TRANSPORT  MAGNETITE  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  SCATTERING  CORROSION  DEVICES  GROWTH   Application of Raman spectroscopy in carbon nanotube-based polymer composites 期刊论文 chinese science bulletin, 2010, 卷号: 55, 期号: 35, 页码: 3978-3988 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：101/2  |  提交时间：2011/07/05 Raman spectroscopy  carbon nanotube  composites  CNT macroarchitecture  RADIAL BREATHING MODE  DIAMETER DISTRIBUTION  WALL  SCATTERING  FIBERS  SENSORS  STRESS  FUNCTIONALIZATION  NANOCOMPOSITES  OXIDATION   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：93/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：1038/2  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN-SCATTERING  ALPHA-GAN  ALN  LAYERS  STRAIN  WURTZITE  FILMS   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE SEMICONDUCTORS  STRESS