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Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H; Gan HD; Zheng HZ; Lu J; Zhu H; Ji Y; Li GR; Zhao JH
收藏  |  浏览/下载：64/5  |  提交时间：2011/07/05
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:  Li MF
收藏  |  浏览/下载：106/7  |  提交时间：2011/07/05
Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts 期刊论文
journal of colloid and interface science, 2011, 卷号: 358, 期号: 2, 页码: 334-337
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：54/5  |  提交时间：2011/07/05
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：62/4  |  提交时间：2011/07/05
Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507
作者:  Wang LG;  Chen L;  Zhu H
收藏  |  浏览/下载：43/5  |  提交时间：2011/07/05
Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser 期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108
Zhu YH (Zhu Yuan-Hui); Xu Q (Xu Qiang); Fan WJ (Fan Wei-Jun); Wang JW (Wang Jian-Wei)
收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2010/05/07
ALLOYS  GE  
GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801
作者:  Xu YQ
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/08
MU-M  LASER  ISLANDS  
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:  Wang Y;  Pan JQ
收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/03/08
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:  Zhu JJ;  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhao DG;  Yang H
收藏  |  浏览/下载：191/56  |  提交时间：2010/03/08
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG
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